深圳四氟化碳供应商-值得信赖「多图」

四氟化碳物理性质 :

熔点-183.6℃，

分子式是CF4,

　　沸点-128.1℃，

　　液体密度(-130℃)1.613g/cm3，

　　液体折光率(-173℃)1.515，

　　固体转变点72.2K，

　　临界温度-45.67℃，

　　临界压力3.73MPa，

蒸气压（-150.7℃）13.33kPa

介电常数（25℃，0.5MPa）1.0006

　　临界密度：7.1dm3/mol

　　标准摩尔自由能：-929.84 kJ/mol

　　标准摩尔生成自由能：-887.41 kJ/mol

***性类别：第2.2类不燃气体

四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源，用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳也一样，比如我们公司生产的钢瓶装四氟化碳在14MPA的气压下也是液态的，在正常大气压下就是气态的，四氟化碳是有一定毒性的应该不能用作呼吸。产品经除尘，碱洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等杂质、再经脱水可获得含量约为85%的粗品。将粗品引入低温精馏釜中进行间歇粗馏，通过控制精馏温度，除去O2、N2、H2，得到高纯CF4。

四氟化碳亦称全氟化碳、四氟甲4烷、全氟化碳，为非腐蚀性气体，所有通用材料如钢、不锈钢、铜、青铜，铝等金属材料都可以使用。四氟化碳有时会用作低温冷却剂。它可用于电路板的制造，以及制造绝缘物质和半导体。它是用作气体蚀刻剂及等离子体蚀刻版。预先称取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉，置于镍盘中，使硅和碳化硅充分接触后，将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中，向反应管内通入氟气，氟气先和单质硅反应。

四氟化碳的密度比较高，可以填满地面空间范围，在不通风的地方会导致窒息。四氟化碳成品应存放在阴凉，干燥，通风的库房内，严禁曝晒，远离热源。四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源，用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳是目前微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体，其高纯气及四氟化碳高纯气配高纯氧气的混合体，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的蚀刻。